射频高Q电容器

温度范围：-55℃～+125℃

工作电压：25V～7200V

容量范围：0.1pF～18nF

尺寸范围：0402/0603/0505/0805/1107/1206/1210/1111/1812/2220/2225/3838/4040

特点用途：随着当前无线技术的发展，电子设备对包括电容在内的电子元器件提出了更高的技术要求。具有小体积、Q值高、自谐振频率高、等效串联电阻ESR值低、等效串联电感ESL值低、低损耗、超稳定性的优质陶瓷射频电容器极为适用于无线技术。应用于甚高频、超高频、射频功率放大器、混频器、振荡器、低噪声放大器、滤波网络、定时电路、延时线、阻抗匹配、隔直、旁路、耦合放大器、高射频功率电路。